Elektronfysikk

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistor (MOSFET), bipolar transistor, lysemitterende dioder, halvlederlasere, fotodioder og fotovoltaiske solceller.

Emnet skal gi studentene grundig innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter, basert på god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.

Emnet skal gi studentene kunnskap om:
- elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer i halvledere
- teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser
- ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
- prinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor
- prinsippene for lysemitterende dioder (LED), halvlederlasere (LD), fotoledere/fotodioder og fotovoltaiske solceller.

Emnet skal gi studentene ferdigheter til:
- å beregne spenningsforhold og strømstyrker i eksisterende elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter under ulike forspenningsbetingelser
- å sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor
- å sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter.

Emnet skal gi studentene generell kompetanse:
- på bruk av ervervede ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk til kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter
- til meningsfylte videre studier av elektronisk krets- og systemdesign.

Forelesninger og regneøvinger.