Halvlederkomponenter

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistorer (MOSFET), bipolar transistor (BJT) og utvalgte fotoniske halvlederkomponenter.

Kunnskapsmål

Kandidaten har:

• god innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske halvlederkomponenter, basert på en god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.
• inngående kunnskap om elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer for ladningsbærere (elektroner og hull) i halvledere
• kjennskap tilde teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser.
• god kunnskap om ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
• god kunnskap om arbeidsprinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor

Ferdigheter

Kandidaten kan:

• beregne spenningsforhold og strømstyrker i sentrale elektroniske halvlederkomponenter (p-n overganger, felteffekt og bipolar transistor) under ulike forspenningsbetingelser.
• sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor - sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter.

Generell kompetanse

Kandidaten har:

• nødvendige ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk for kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter.
• nødvendig kunnskap for videre studier innen elektronisk krets- og systemdesign.

Forelesninger, forhåndsinnspilte videoer og regneøvinger i gruppe.

Gruppearbeid-øktene er obligatoriske (80% oppmøte) og alle gruppeoppgavene må være godkjent før eksamen. Gruppearbeidene foregår i kooperative læringsareal under tett oppfølging av faglærer og/eller undervisningsassistenter. 8 til 10 gruppeoppgaver vil bli gitt.