Nanoelektronikk 1

Kurset vil beskrive fysikken i moderne elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter. Følgende tema vil bli gjennomgått; ulike klasser felteffekttransistor (JFET, MESFET, MOSFET) og bipolare transistor (BJT); halvleder heterostrukturer; ladningsbærerstatistikk og -transport i 2 dimensjoner; modulasjonsdopet felteffekt transistor (MODFET, HEMT) og heterostruktur bipolar transistor (HBT); MOSFET skalering og avanserte MOSFET strukturer; fotodioder, lysemitterende dioder (LED) og laserdioder (LD); fotovoltaiske solceller; integrerte kretser

Kurset forventes å gi studentene grunnleggende forståelse av prinsipp og virkemåte for de ulike klasser av transistorer som benyttes i moderne mikro-/nanoelektronikk, så vel som halvlederbaserte fotoniske komponenter.

Kurset sikter mot å gi studentene de nødvendige verktøy for å beregne terminalstrømmer og analysere betingelsene for forsterkning og svitsjing av felteffekt transistorer og bipolare transistorer (inkl. kretsmodeller for FET'r) samt å drøfte optiske detektorer, lysmittere (LED,LD) og solceller basert på halvleder (foto)dioder.

Kurset vil dessuten styrke studentenes ferdigheter i bruken av matematiske/fysiske verktøy og kretsmodeller for kvantitativ analyse av halvleder systemkomponenter, samt gi et solid grunnlag for studier av mer avanserte elektroniske og fotoniske system.

Auditorieforelesninger og øvinger