Halvleder komponent- og kretsteknologi

Hoveddelen av emnet er dedikert prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, som filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. I tillegg gjennomgås dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi. Halvleder heterostruktur og supergitter. Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (optisk, SEM, TEM, STM, AFM).

Emnet skal formidle innsikt i halvleder tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter og CMOS integrerte kretser.

A. Kunnskap:
Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker.

B. Ferdigheter:
Være i stand til å gjøre fotolitografi og enkel prosessering av halvledere i renrom, samt gjøre karakterisering med utvalgte teknikker. Være i stand til å presentere og diskutere det teoretiske grunnlaget for prosessering og karakterisering.

Forelesninger, regneøvinger, presentasjoner av studentene, laboratoriedemonstrasjoner og laboratorieøvinger i renrom. Ved utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) kan skriftlig eksamen bli endret til muntlig eksamen.