Faglig Innhold
Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistorer (MOSFET), bipolar transistor (BJT) og utvalgte fotoniske halvlederkomponenter.
Læringsmål
Kunnskapsmål Kandidaten har: - god innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske halvlederkomponenter, basert på en god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere. - inngående kunnskap om elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer for ladningsbærere (elektroner og hull) i halvledere - kjennskap tilde teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser. - god kunnskap om ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter - god kunnskap om arbeidsprinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor Ferdigheter Kandidaten kan: - beregne spenningsforhold og strømstyrker i sentrale elektroniske halvlederkomponenter (p-n overganger, felteffekt og bipolar transistor) under ulike forspenningsbetingelser. - sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor - sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter. Generell kompetanse Kandidaten har: - nødvendige ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk for kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter. - nødvendig kunnskap for videre studier innen elektronisk krets- og systemdesign.