Mikrobølge integrerte kretser

Mikrobølge-transistorer med modell- og S-parameter- beskrivelse, stabilitet, konstruksjon av forsterkere og oscillatorer med vekt på støy og ikkelineære egenskaper, hybrid-og monolittisk integrerte kretser, DAK-hjelpemidler og måleteknikk.

Emnet skal gi grunnleggende forståelse av sentrale høyfrekvenskretser som inngår i radiosystemer for f.eks. kommunikasjon, radar og navigasjon, og gi kunnskap om analyse, konstruksjon og teknologi for slike kretser. Videre skal studentene bli kjent med beregningsverktøy og måleteknikk slik at de blir i stand til å kunstruere ulike RF-kretser for frekvensområdet 50MHz til 50GHz, og utprøve deres egenskaper i laboratoriet.

Forelesninger, DAK-og laboratorie-øvinger. Semesteroppgave i emnet vil telle 25% ved fastsettelse av karakteren. Ved utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) kan skriftlig eksamen bli endret til muntlig eksamen. Emnet kan bli forelest på engelsk hvis flere utendlandske utvekslingsstudenter velger emnet.