TFE4163

Nanoelektronikk II

Sist undervist 2018

Norsk

Oversikt

Snitt

C

2,57

likt

Ståprosent

71 %

likt

Karakterfordeling
Snitt over tid
Ståprosent over tid

Om emnet

Faglig innhold

Teori for elektrontransport relevant for moderne halvlederkomponenter. Avanserte halvlederkomponenter som modulasjonsdopet felteffekt-transistor, HBJT, ballistiske- og tunneleringskomponenter, optiske komponenter som lysemitterende- og laser-dioder, kvantekaskadelasere. Magnetisk vekselvirkning i nanoskalakomponenter.

Læringsmål

Forstå overgang fra klassisk til kvantetransport. Analysere hvilke lengdeskalaer som er relevante i komponeneter. Forstå sammenheng mellom enkle modeller og virkelige komponenter. Kombinere modeller og teori for å forklare nanoskala halvlederkomponenter. Beregne egenskaper for utvalgte halvlederkomponenter. Diskutere hvordan materialegenskaper påvirker komponentegenskaper. Diskutere utfordringer for morgendagens teknologi.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger, regneøvinger, studentseminarer, selvstudium.