Modeling of Semiconductor Devices

Emnet omhandler stor- og småsignal modellering av viktige halvlederkomponenter. Det legges særlig vekt på Si MOSFET samt heterostruktur-komponenter som HEMT og HBT. Aktuelle tema er fysisk beskrivelse, ekvivalentkretsrepresentasjon, høyfrekvensoppførsel, krav til modeller for RF-anvendelser, intrinsikke og ekstrinsikke modellelementer, parameterekstraksjon, støykilder og støymodellering.

Kunnskaper: Emnet skal gi innsikt i komponentmodeller som benyttes i krets- og komponent-design, med vekt på analog- og RF-anvendelser. Ferdigheter: Utvikling og anvendelse av komponentmodeller for bruk is avansert kretsdesign. Generell kompetanse: Forståelse av det fysikalsk grunnlaget som komponentmodellene er basert på, og innsikt i gyldighetområdet for anvendelser.

Forelesninger. Øvinger. Muntlig eksamen.