Molecular Beam Epitaxy

Kilder til atomstråler og molekylstråler, høyvakuum gro- og prosess-systemer, karakteriseringsteknikker, MBE groprosesser for gittertilpassede strukturer, MBE groprosesser for strukne lag, MBE groprosesser for nanostrukturer, materialrelaterte grokarakteristikker ved MBE.

A. Kunnskap: Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne bruke molekylstråleepitaksi til å framstille avanserte lagdelte tynnfilmer eller nanostrukturer av sammensatte halvledere for elektroniske og optoelektroniske komponenter, samt det teoretiske grunnlaget for viktige karakteriseringsteknikker for framstilte strukturer. B. Ferdigheter: Å være istand til å designe og framstille avanserte lagdelte tynnfilmer av sammensatte halvledere med molekylstråleepitaksi.

Forelesninger, student-seminarer, regneøvinger, laboratorieøvinger, laboratoriedemonstrasjoner, selvstudium.